俄罗斯光刻机线路图曝光：2036年末前完成EUV光刻机研发！

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9月28日消息，俄罗斯计较机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov克日经过X平台曝光了俄罗斯最新的光刻机研发线路图，显现俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发，2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并终极在2036年末前完成可以生产10nm以下先辈制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。

实在，早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研讨所就已经公布由其主导研发的EUV光刻机计划，该EUV光刻机将采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 利用的标准13.5nm波长，方针是打造比ASML 系统更经济的EUV光刻机。而最新曝光的俄罗斯光刻机线路图则相比之前获得了进一步完善，研发周期也一向延长到了2036年。
具体来说，俄罗斯光刻机线路图包括三个首要阶段：
第一个阶段：计划于 2026 年至 2028 年推出分辨率为 60-40nm 的光刻机，具有双镜物镜光学系统、套刻精度可以到达10nm、曝光地区为 3 x 3mm，生产效力为每小时跨越 5 片晶圆。
第二阶段：计划于2029-2032 年推出分辨率为 65-28nm （潜力为 14 nm）的光刻机，将采用四镜物镜光学系统、套刻精度5nm、曝光地区为26 x 0.5 mm，生产效力为每小时跨越50片晶圆。
第三阶段：计划于2033-2036 年推出分辨率为 28-13nm（潜力为9nm）的光刻机，将采用六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光地区为26 x 2 mm，生产效力将提升至每小时跨越100片晶圆。
需要指出的是，俄罗斯的光刻机路研发技术线路与ASML完全分歧。比如，ASML 的 EUV 光刻机采用的是激光轰击金属锡滴发生13.5nm波的EUV光源，然后经过反射镜收集并批改线路，终极到达晶圆表白的光刻胶。可是金属锡会发生碎屑，从而净化光掩模（也称光罩）。
相比之下，而俄罗斯光刻机则挑选采用的是基于氙（xenon）气的激光器来发生波长为11.2nm的EUV光源，不但能将分辨率提升约20%，还可以简化设想并下降全部光学系统的本钱。此外，该设想还可削减光学元件的净化，耽误收集器和庇护膜等关键零件的寿命。

俄罗斯科学院微观结构物理研讨所称，由于光刻工艺的简化，其以为11.2nm的光刻技术将成为实在的193nm淹没式DUV光刻机的实在替换品，这首要在于其无需淹没系统，且分辨率高，本钱昂贵。
可是，俄罗斯的这个EUV光刻机线路并不但仅是更换采用 11.2nm 的激光器这么简单。虽然11.2nm波长仍属于EUV范围，但这并非纯真的小幅调剂。由于一切光学元件包括反射镜及涂层、光罩设想以及光阻剂，都需要针对新的波上停止出格设想与优化。
比如，ASML EUV光刻机的反射镜采用的是硅与钼的镀膜反射镜，而11.2nm波长的EUV光刻机则需要由钌和铍（Ru/Be） 制成的反射镜。所以，激光光源、反射镜、光阻化学、净化控制及其他支持技术也须重新设想，才能确保在11.2nm波长下的有用运作。
所以，以11.2nm波长为根本的工具很难间接兼容现有以13.5nm为根本EUV 架构与生态系统，甚至连电子设想自动化（EDA）工具也需要停止更新。虽然现有EDA 工具仍可完成逻辑综合、结构和路由等根基步调，但触及曝光的关键制程，如光罩数据预备、光学邻近校正（OPC）息争析度增强技术（RET），则需要重新校准或升级为合适11.2nm的新制程模子。
总结来说，俄罗斯的自研的EUV光刻机技术虽然简化了原本复杂的光源系统，并下降了这部分的本钱，可是其并不能复用现有的EUV技术的零部件和材料，是以也会带来很多的复杂性和本钱的应战，需要俄罗斯自行开辟配套的生态系统，而这能够需要数年甚至十年以上时候。
更加关键的是，俄罗斯研发的EUV光刻机还面临着生产效力低下的题目。虽然曝光的图片显现，其第三阶段推出的EUV光刻机的生产效力可达每小时跨越100片晶圆，可是这只要ASML EUV光刻机的一半。
编辑：芯智讯-浪客剑