曝三星1c DRAM HBM4良率提升至50%，加速摆设光刻机抢占DRAM市场

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IT之家 10 月 17 日消息，据科技媒体 TweakTown 明天报道，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率已到达 50%，同时该公司还在扩大 High-NA EUV 光刻机产能，加速量产 HBM4、HBM4E这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
据消息人士 Jukanlosreve 昨天在 X 平台的发文，三星已加速押注 DRAM 范畴，从 ASML（IT之家注：阿斯麦）购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将摆设在三星半导体代工奇迹部，其他装备则专供存储奇迹部这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

TweakTown 对此以为，三星的这番行为暗示着将建立专属内存生产线，使得 HBM4 量产速度更快，同时提早摆设 HBM4E 和下一代 HBM5这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
一位半导体业界人士暗示：“曩昔三星的代工和存储营业在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储营业”这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

作为参考，三星平泽园区的 DRAM 部分每月大约生产 30 万片晶圆，其产线几近已经满载，不外按照另一位业内助士流露，假如北美的首要客户追加定单，那剩下三台光刻机有能够被送至美国德州泰勒晶圆厂这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
对照之下，三星的合作对手 SK 海力士仍处于领先职位，为英伟达 Blackwell 系列 GPU 供给 HBM3 / HBM3E 芯片，三星此举势势必扩大 DRAM 产能，让两家公司之间的合作进一步升级这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。