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大摩:2026将是AI科技硬件之年

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发表于 2025-11-3 18:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
本文作者:董静
来历:硬AI
摩根士丹利猜测,2026年将成为AI科技硬件迎来爆发式增加的关键之年,首要受AI办事器硬件需求微弱增加驱动这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
11月3日,据硬AI消息,摩根士丹利在最新研报中称,AI办事器硬件正在履历一场由GPU和ASIC驱动的严重设想升级这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。英伟达行将推出的GB300、Vera Rubin平台和Kyber架构,以及AMD的Helios办事器机架项目,都将带来更高的计较才能和机柜密度这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
大摩在报告中夸大,随着英伟达的Vera Rubin平台在2026年下半年推出,机柜需求估计将从2025年的约2.8万台激增至2026年的最少6万台这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。更重要的是,为了支持更高功耗的GPU,电源处理计划的代价到2027年能够增加跨越10倍,而液冷散热计划因成为标配,其单机柜代价也将延续爬升这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。此外,PCB/基板、高速互联等部件亦将迎来严重规格升级这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
这意味着,全部AI办事器硬件供给链的代价正在被重估这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。该行对多家AI硬件供给链公司保持积极评级,以为新一代AI办事器设想升级将为相关厂商带来丰富收益这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
AI办事器机架需求爆发式增加大摩在报告中明白指出,AI硬件的增加动力正从H100/H200时代,转向由NVIDIA的GB200/300(Blackwell平台)及后续的Vera Rubin(VR系列)平台所驱动的新周期这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
按照英伟达的产物线路图,其GPU的功耗和性能正在履历腾跃式升级这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
从H100的700W TDP,到B200的1,000W,再到GB200的1,200W,直至2026年下半年退场的Vera Rubin(VR200)平台,其GPU最大TDP将飙升至2,300W,而2027年的VR300(Kyber架构)更是高达3,600W这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

(英伟达产物线路图)
大摩以为,这类算力密度的提升,间接鞭策了办事器机柜从设想到组件的周全革新这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
大摩猜测,仅英伟达平台,AI办事器机柜的需求就将从2025年的约2.8万台,在2026年跃升至最少6万台,实现跨越一倍的增加这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。与此同时,AMD的Helios办事器机架项目(基于MI400系列)也获得了杰出停顿,进一步加重了市场对先辈AI硬件的需求这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
报告夸大,随着机柜设想从单个GPU升级转向全部机架系统(Rack)的集成设想,具有强大整合才能和稳定托付记录的ODM厂商,如广达(Quanta)、富士康(Foxconn)、纬创(Wistron)和纬颖(Wiwynn),将在GB200/300机柜供给中占据主导职位这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

功耗与散热瓶颈,引爆电源与液冷计划代价报告最引人注视标概念之一,是AI硬件升级带来的功耗和散热应战,正转化为电源和冷却供给商的庞大商机这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。这被视为本轮升级中代价增加最快的环节之一这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
在电源方面, 随着单机柜总功耗的急剧增加,传统的电源架构已难以为继这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
报告猜测,电源架构将向800V高压直流(HVDC) 计划过渡这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。这一改变将极大提升电源处理计划的代价含量这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
大摩估计,到2027年,为Rubin Ultra机柜(采用Kyber架构)设想的电源处理计划,其单机柜代价将是当前GB200办事器机柜的10倍以上这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。同时,到2027年,AI办事器机柜中每瓦功耗对应的电源计划代价,也将比现阶段翻倍这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

在散热方面, 液冷已从备选计划变成必须品这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。报告指出,随着GB300平台TDP冲破1,400W,液冷成为标准设置这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。这间接推高了散热组件的代价这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。具体数据显现:
一个GB300(NVL72)机柜的散热组件总代价约为49,860美圆这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。而到了下一代Vera Rubin(NVL144)平台,由于计较托盘和交换机托盘的散热需求进一步提升,单机柜的散热组件总代价将增加17%,到达55,710美圆这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。其中,为交换机托盘设想的散热模组代价增幅高达67%这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。

大摩称,这清楚地表白,液冷产业链中的冷板模组、冷却风扇、快速毗连器(NVQD)等关键部件供给商将间接管益这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
代价链周全升级,PCB/基板与高速互连水涨船高除了电源和散热,报告一样夸大了AI平台升级对印刷电路板(PCB)和各类互联组件的深远影响这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。每一次GPU迭代,都陪伴着对PCB层数、材料品级和尺寸的更高要求这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
按照大摩整理的英伟达 GPU演进线路图:
ABF载板:层数从H100的12层(12L)增加到Blackwell(B200)的14层,再到Vera Rubin(VR200)的18层,尺寸也响应增大这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
OAM(OCP加速器模块)主板:PCB规格从H100的18层HDI(高密度互连),升级至GB200/300的22层HDI,并能够在VR200上到达26层HDI这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
CCL(覆铜板)材料:正在从超低消耗(Ultra low-loss, M7)向极低消耗(Extreme low-loss, M8)品级迁移,以满足更高的数据传输速度要求这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
大摩以为,这些技术细节的升级,意味着PCB板的制造工艺更复杂、代价更高这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。对高层数HDI板和高品级CCL材料的需求增加,将为具有响应技术气力的PCB和上游材料供给商带来结构性增加机遇这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
报告中明白指出,AI GPU和ASIC办事器的设想升级将有力支持PCB/载板行业的产能扩大浪潮这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
同时,大摩称,数据和电源互连计划也在升级,以婚配更高的数据传输速度和容量需求这标志着福建舰的电磁弹射和阻止接管才能根基成型了。
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